김현석, 이경진, 박지민, 장성철, 김재현 “박막 트랜지스터” Korea 2021-0114158 (출원일자: 2021.08.27),

이현석, 이재우, 김현석, 박지민 “시냅스 소자” Korea 2021-0035244 (출원일자: 2021.03.18),

김현석, 안송이, 김형도, 장성철 “반도체 박막 및 그 제조방법” Korea 2021-0042220 (출원일자: 2021.03.31),

김현석, 김종헌, 소승범 “박막 이차 전지의 제조방법” Korea 2019-0119087 (출원일자: 2019/09/26),

임재민, 성주영, 장용준, 김종헌, 김천중, 김현석 “운송 수단용 리튬 이온 전지 및 이의 제조 방법” Korea 2018-0083206 (출원일자: 2018/07/18, 공개일자: 2020/01/30), United States (출원일자: 18/11/30, 공개일자: 2020/01/23).,

김현석, 김종헌, 김형도 “박막 이차 전지” Korea 2018-0037768 (출원일자: 2018/03/30, 공개일자: 2019/10/10, 등록일자: 2019/12/06).,

김현석, 양대규, 김형도, “IGZO 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터”, Korea 2017-0139559 (출원일자: 2018/09/05, 공개일자: 2019/05/07),

김현석, 양대규, 김양수, 김형도,한석길, “ECR-PEALD법에 의한 반도체 소자의 절연막 제조방법”, Korea 2016-0175851 (출원일자: 2016/12/21, 공개일자: 2018/06/29),

김현석, 김양수, 김종헌, “박막 트랜지스터 및 그의 제조방법”, Korea 2015-0190918 (출원일자: 2016/12/29, 공개일자: 2019/07/10),

김현석, 김양수, 김창선, “인듐 질산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 전자소자”, Korea 2015-0046117 (출원일자: 2015/04/01).,

김현석, 한승우, 류명관, 박준석, 손경석, “박막 트랜지스터 및 그 제조 방법”, Korea 2013-0169391 (출원일자: 2013/12/31, 공개일자: 2015/07/08),

손경석, 김선재, 김억수, 김현석, 류명관, “이중 게이트 전극을 가진 박막 트랜지스터”, Korea 2013-0143938 (출원일자: 2013/11/25, 공개일자: 2015/06/03),

박준석, 김태상, 김현석, 류명관, 박영수, 조성호, “이중 채널층을 가진 박막 트랜지스터”, Korea 2013-0143061 (출원일자: 2013/11/22, 공개일자: 2015/06/02),

박준석, 김태상, 김현석, 류명관, 박영수, 조성호, “징크 옥시나이트라이드 박막 트랜지스터”, Korea 2013-0140554 (출원일자: 2013/11/19, 공개일자: 2015/05/29),

김태상, 김선재, 김현석, 류명관, 박준석, 서석준, 선종백, 손경석, “반도체 물질과 이를 포함하는 트랜지스터 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2013-0097345 (출원일자: 2013/08/16, 공개일자: 2014/06/10, 등록일자: 2020/08/10) United States 14/093,153 (출원일자: 2013/11/29, 등록일자: 2016/05/17, 등록번호: 09343534),