Patents

  • 2023

  • 33

    김현석, 이승민, 장성철, 박지민, “박막 트랜지스터” Korea 2023-0115128 (출원일자: 2023.08.31),

  • 32

    김현석, 이경진, 박지민, 이건오, 김도환, 권혁민, “유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법” Korea 2023-0051421 (출원일자: 2023.04.19),

  • 2022

  • 31

    김현석, 김선경, 이영석, 박지민, 김석진, “반사방지 코팅층을 포함하는 렌즈 및 이의 제조 방법 Korea 2022-0112819 (출원일자: 2022.09.06),

  • 30

    이상진, 김현석, “이차전지 음극용 불소고분자 실리콘 복합소재, 이를 이용한 불소고분자 실리콘 스퍼터링 타겟 제조방법 및 불소고분자 실리콘 스퍼터링 타겟을 스퍼터링 코팅한 이차전지 음극” Korea 2022-0072867 (출원일자: 2022.06.15),

  • 2021

  • 29

    김현석, 이경진, 박지민, 장성철, 김재현 “박막 트랜지스터” Korea 2021-0114158 (출원일자: 2021.08.27),

  • 28

    이현석, 이재우, 김현석, 박지민 “시냅스 소자” Korea 2021-0035244 (출원일자: 2021.03.18),

  • 27

    김현석, 안송이, 김형도, 장성철 “반도체 박막 및 그 제조방법” Korea 2021-0042220 (출원일자: 2021.03.31),

  • 2019

  • 26

    김현석, 김종헌, 소승범 “박막 이차 전지의 제조방법” Korea 2019-0119087 (출원일자: 2019/09/26),

  • 2018

  • 25

    임재민, 성주영, 장용준, 김종헌, 김천중, 김현석 “운송 수단용 리튬 이온 전지 및 이의 제조 방법” Korea 2018-0083206 (출원일자: 2018/07/18, 공개일자: 2020/01/30), United States (출원일자: 18/11/30, 공개일자: 2020/01/23).,

  • 24

    김현석, 김종헌, 김형도 “박막 이차 전지” Korea 2018-0037768 (출원일자: 2018/03/30, 공개일자: 2019/10/10, 등록일자: 2019/12/06).,

  • 2017

  • 23

    김현석, 양대규, 김형도, “IGZO 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터”, Korea 2017-0139559 (출원일자: 2018/09/05, 공개일자: 2019/05/07),

  • 2016

  • 22

    김현석, 양대규, 김양수, 김형도,한석길, “ECR-PEALD법에 의한 반도체 소자의 절연막 제조방법”, Korea 2016-0175851 (출원일자: 2016/12/21, 공개일자: 2018/06/29),

  • 2015

  • 21

    김현석, 김양수, 김종헌, “박막 트랜지스터 및 그의 제조방법”, Korea 2015-0190918 (출원일자: 2016/12/29, 공개일자: 2019/07/10),

  • 20

    김현석, 김양수, 김창선, “인듐 질산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 전자소자”, Korea 2015-0046117 (출원일자: 2015/04/01).,

  • 2013

  • 19

    김현석, 한승우, 류명관, 박준석, 손경석, “박막 트랜지스터 및 그 제조 방법”, Korea 2013-0169391 (출원일자: 2013/12/31, 공개일자: 2015/07/08),

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