Patents

  • 2013

  • 14

    박준석, 김태상, 류명관, 박영수, 조성호, 김현석, “금속 질산화물 채널층을 구비한 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는 디스플레이”, Korea 2013-0094323 (출원일자: 2013/08/08, 공개일자: 2015/02/25),

  • 13

    김현석, 김선재, 김태상, 류명관, 박준석, 손경석, “박막 트랜지스터 및 그 제조방법”, Korea 2013-0092667 (출원일자: 2013/08/05, 공개일자: 2015/02/13, 등록일자: 2020/08/19), United States 14/162,873 (출원일자: 2014/1/24, 등록일자: 2015/07/21, 등록번호: 9087907),

  • 12

    류명관, 김태상, 김현석, 박준석, 박영수, “불소를 포함하는 징크 타겟, 이를 이용한 징크 나이트라이드 박막의 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법”, Korea 2013-0066067 (출원일자: 2013/06/10 공개일자: 2014/12/18),

  • 2012

  • 11

    김현석, 김선재, 김태상, 류명관, 박준석, 서석준, 선종백, 손경석, 이상윤, “절연막의 형성 방법 및 이를 적용한 박막 트랜지스터 제조 방법”, Korea 2012-0158528 (출원일자: 2012/12/31, 공개일자: 2014/07/09, 등록일자: 2019/06/20),

  • 10

    박준석, 김선재, 김태상, 김현석, 류명관, 서석준, 선종백, 손경석, 이상윤, “트랜지스터와 그 제조 방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2012-0143031 (출원일자: 2012/12/10, 공개일자: 2014/06/18, 등록일자: 2019/05/14), United States (출원일자: 13/09/03, 등록일자: 2015/09/01, 등록번호: 09123750),

  • 9

    김태상, 김선재, 김현석, 류명관, 박준석, 서석준 선종백, 손경석 “Zn 화합물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터”, Korea 2012-0138508 (출원일자: 2012/10/22, 공개일자: 2014/04/30), United States (출원일자: 13/11/29, 등록일자: 2016/01/26, 등록번호: 9245957),

  • 8

    박준석, 김선재, 김태상, 김현석, 류명관, 서석준, 선종백, 손경석, 이상윤, “질산화물 채널층을 구비한 트랜지스터 및 그 제조방법”, Korea 2012-0071373 (출원일자: 2012/06/29 공개일자: 2014/01/10, 등록일자: 2019/04/30), United States 13/770,007 (출원일자: 2013/2/19, 등록일자: 2015/07/07, 등록번호: 9076721),

  • 7

    선종백, 김태상, 김현석, 류명관, 박준석, 서석준, 손경석, 이상윤, “황 도핑 징크옥시나이트라이드 채널층을 가진 트랜지스터 및 그 제조방법”, Korea 2012-0052212 (출원일자: 2012/05/16, 공개일자: 2013/11/26, 등록일자: 2019/05/14), United States 13/721,635 (출원일자: 2012/12/20, 공개일자: 2013/11/21, 등록일자: 2014/09/09, 등록번호: 8829515),

  • 6

    손경석, 류명관, 김태상, 김현석, 박준석, 선종백, 이상윤, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2012-0021409 (출원일자: 2012/02/29 공개일자: 2013/09/06, 등록일자: 2019/03/22), United States 13/588,462 (출원일자: 2012/08/17, 등록일자: 15/11/10, 등록번호: 9184300), Europe 13152631.1 (출원일자: 2013/01/25, 등록일자: 2016/12/14, 등록번호: 02634812),

  • 2011

  • 5

    박준석, 김태상, 김현석, 류명관, 선종백, 손경석, 이상윤, 서석준, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2011-0129910 (출원일자: 2011/12/06, 공개일자: 2013/06/14, 등록일자: 2018/07/10), United States 13/550,752 (출원일자: 2012/07/17, 등록일자: 2015/05/19, 등록번호: 9035294),

  • 4

    김현석, 김태상, 손경석, 박준석, 선종백, 류명관, 최원묵, 송미정, 이상윤, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2011-0081814 (출원일자: 2011/08/17, 공개일자: 2013/02/27, 등록일자: 2018/04/18), United States 13/489,888 (출원일자: 2012/06/06, 공개일자: 2013/02/21, 등록일자: 2015/08/04, 등록번호: 9099561),

  • 2010

  • 3

    박경배, 류명관, 이광희, 김태상, 김억수, 손경석, 김현석, 맹완주, 박준석, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2010-0138042 (출원일자: 2010/12/29, 공개일자: 2012/07/09), United States 13/165,301 (출원일자: 2011.06/21, 공개일자: 2012/07/05).,

  • 2

    박경배, 김현석, 류명관, 이상윤, 이광희, 김태상, 김억수, 손경석, 맹완주, 박준석, “트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자”, Korea 2010-0074404 (출원일자: 2010/07/30, 공개일자: 2012/03/09), United States 13/064,428 (출원일자: 2011/03/24, 공개일자: 2012/02/02), Europe 11161929.2 (출원일자: 2011/04/11, 공개일자: 2012/02/01), China 201110115503.X (출원일자: 2011/04/29).,

  • 2008

  • 1

    Lei Bi, Gerald F. Dionne, Hyun-Suk Kim, and Caroline A. Ross, “Magnetic Material for Magneto-Optical Isolator”, United States 12/262,739 (출원일자: 2008/10/31, 공개일자: 2009/05/28, 등록일자: 2011/08/09, 등록번호: US7995893).,

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